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Description of Weak Halogen Bonding Using Various Levels of Symmetry-Adapted Perturbation Theory Combined with Effective Core PotentialsDescripción de enlaces halógenos débiles utilizando varios niveles de teoría de la perturbación adaptada a la simetría combinada con potenciales de núcleo efectivos

Resumen

El presente trabajo comienza proporcionando una descripción de la interacción de enlace halógeno (XB) entre el átomo halógeno de MH3X (donde M = C-Pb y X = I, At) y el átomo N de HCN. Esta interacción conduce a la formación de complejos MH3X⋯NCH estables pero muy débilmente ligados, para los que se calcula la energía de interacción (Eint) entre el MH3X y el HCN utilizando varios métodos de teoría de perturbación adaptada a la simetría (SAPT) combinados con el conjunto de bases def2-QZVPP y funciones de enlace medio. Este conjunto de bases asigna potenciales de núcleo efectivos (ECPs) no sólo al átomo I o At que participa directamente en la interacción XB con HCN, sino también al átomo M cuando se sustituye con Sn o Pb. Se toman en consideración doce métodos (o niveles) SAPT. Según el análisis SAPT de Eint, la interacción XB en los complejos muestra una naturaleza mixta electrostática-dispersión. A continuación, se evalúa la precisión del SAPT Eint comparándolo con los datos de referencia CCSD(T). Esta comparación revela que el método SAPT2 (3) de alto orden y el método SAPT(DFT), mucho menos exigente desde el punto de vista computacional, describen muy bien la Eint de los complejos. Sin embargo, la precisión de estos métodos disminuye drásticamente si se combinan con la llamada corrección Hartree-Fock.

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