Resumen

En este trabajo se describe el desplazamiento galvánico de nanopartículas y películas metálicas sobre sustratos monocristalinos de GaAs (100), un método sencillo y rentable para fabricar una interfaz metal/semiconductor altamente controlada. Se ha llevado a cabo un análisis de superficie con resolución temporal del sistema Au/GaAs y se ha dilucidado en detalle el mecanismo microscópico del desplazamiento galvánico. Las medidas XPS cuantitativas temporales de la interfaz Au/GaAs mostraron que, inicialmente, el rápido crecimiento del Au se ralentizaba a medida que avanzaba el proceso de deposición. Esto se atribuyó al crecimiento de una capa de óxido que bloqueaba la conducción de agujeros y provocaba el apagado del proceso de deposición. Se observó que la adición de varios ácidos inorgánicos, que actúan como grabadores de óxido, mejoraba la velocidad de deposición al eliminar eficazmente el óxido superficial, siendo el HF el más eficaz. Varios metales preciosos, como el Pt y la Ag, pudieron depositarse sobre GaAs mediante desplazamiento galvánico, lo que demuestra la versatilidad del método.

• Materias:Reacciones químicas Electroquímica Biología molecular Química farmacéutica Química analítica
• Subjects:Chemical reactions Electrochemistry Molecular biology Chemistry pharmaceutical Analytical chemistry
• Palabras claves:desplazamiento galvánico, proceso de deposición, mediciones cuantitativas temporales xps, diversos metales preciosos, crecimiento au rápido, diversos ácidos inorgánicos, interfaz gaas, sistema gaas, gaas cristalino, velocidades de deposición
• Keywords:galvanic displacement, deposition process, quantitative temporal xps measurements, various precious metals, fast au growth, various inorganic acids, gaas interface, gaas system, crystalline gaas, deposition rates