Resumen

Se han obtenido micro/nanotubos semiconductores monocristalinos de InGaAs/GaAs mediante el mecanismo de autoenrollamiento por deformación. Este método combina las ventajas de las técnicas bottom-up (crecimiento epitaxial) y top-down (procesamiento postcrecimiento), ofreciendo una oportunidad excepcional para realizar nanoarquitecturas tridimensionales complejas mediante los procesos convencionales de fotolitografía y grabado húmedo. Se describe en detalle el método empleado para obtener micro/nanotubos con orientación y longitud seleccionadas. Mediante la caracterización por microscopía electrónica de barrido de alta resolución, mostramos una clara diferencia de forma entre los tubos de pared simple y los de paredes múltiples y la discutimos sobre la base de la liberación de tensiones, teniendo en cuenta también las posibles deformaciones de forma inducidas durante el secado de los micro/nanotubos. Analizamos el perfil de in-segregación en la bicapa nominal In0.20Ga0.80As/GaAs y mostramos su efecto sobre el diámetro real de los tubos, concluyendo que una descripción más precisa de la estructura debería considerar una tricapa In0.20Ga0.80As/In0.10Ga0.90As/GaAs. Este trabajo será útil para establecer metodologías fiables para la realización de micro/nanotubos accionados por deformación con propiedades controladas, necesarias para su implementación en un gran número de campos de aplicación.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:nanotubos, micro semiconductor gaas, clara diferencia de forma, caracterización por microscopía electrónica, posibles deformaciones de forma, micro, deformación, bicapa gaas, tricapa gaas, descripción precisa
• Keywords:nanotubes, gaas semiconductor micro, clear shape difference, electron microscopy characterization, possible shape deformations, micro, strain, gaas bilayer, gaas trilayer, accurate description