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Crack Detection in Single-Crystalline Silicon Wafer Using Laser Generated Lamb WaveDetección de grietas en obleas de silicio monocristalino mediante ondas lamb generadas por láser

Resumen

En la industria de los semiconductores, con los crecientes requisitos de alto rendimiento, alta capacidad, alta fiabilidad y componentes compactos, la grieta ha sido uno de los problemas más críticos de acuerdo con el creciente requisito del adelgazamiento de las obleas en los últimos años. Los investigadores anteriores presentaron con éxito la detección de grietas en las obleas de silicio con el método de ultrasonidos acoplados al aire. Sin embargo, el desajuste de alta impedancia será el problema en el campo industrial. En este trabajo, para detectar la grieta, proponemos un método de onda Lamb generada por láser que no sólo es sin contacto, sino también fiable para la medición. El generador láser-ultrasónico y el interferómetro láser se utilizan como transmisor y receptor, respectivamente. En primer lugar, verificamos la identificación de los modos de onda de cordero S0 y A0 y, a continuación, realizamos la detección de grietas en régimen termoelástico. Los resultados experimentales mostraron que los modos S0 y A0 de la onda de cordero fueron claramente generados y detectados, y en el caso de la detección de grietas, el tamaño de la grieta estimado por el método de caída de 6 dB fue casi igual al tamaño real de la grieta. Por lo tanto, se espera que el método propuesto permita detectar la grieta en la oblea de silicio en los campos industriales.

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