Resumen

Las propiedades semiconductoras de las películas pasivas formadas sobre acero inoxidable AISI 316 en solución de ácido sulfúrico se estudiaron empleando el análisis de Mott-Schottky junto con el modelo de defecto puntual. La densidad de donantes de las películas pasivas, que puede estimarse mediante los gráficos de Mott-Schottky, cambia en función de los potenciales de formación de la película. Basándose en el análisis Mott-Schottky, se desarrolló una relación exponencial entre la densidad donante y los potenciales de formación de la película pasiva. Los resultados mostraron que las densidades de donantes evaluadas a partir de los gráficos de Mott-Schottky se encuentran en el rango 2-3 × 1021 cm-3 y disminuyen con el potencial de formación de la película. Suponiendo que los donantes son vacantes de iones oxígeno y/o intersticiales de cationes, se calcula que el coeficiente de difusión de los donantes, (DO), es de aproximadamente 3,12 × 10-16 cm2/s.

• Materias:Catálisis Electroquímica Electrodos Voltamperometría Biosensor electroquímico Biosensores
• Subjects:Catalysis Electrochemistry Electrodes Voltammetry Electrochemical biosensor Biosensors
• Palabras claves:potenciales de formación de película, películas pasivas, Mott, análisis Schottky, gráficos Schottky, densidad de donantes, potencial de formación de película, vacantes de iones oxígeno, modelo de defecto puntual, solución de ácido sulfúrico
• Keywords:film formation potentials, passive films, Mott, Schottky analysis, Schottky plots, donor density, film formation potential, oxygen ion vacancies, point defect model, sulfuric acid solution