Resumen

Se  estudia  la  dinámica  de  un  paquete  de  ondas  gaussiano  de  huecos  pesados,  en  presencia  de interacción  espín-órbita  tipo  Rashba,  para  un  sistema  semiconductor cuasi-unidimensional.  Se utiliza un esquema en diferencias finitas, basado en la aproximación de Cayley, y se extiende a la solución  de  la  ecuación de  Schrödinger  dependiente  del  tiempo  para  huecos.  Se  muestra  el fenómeno  de  la  precesión  del  espín  de  los  huecos, a  través  de  una  simulación  numérica  de  la evolución temporal de las componentes del paquete. Es posible evaluar parámetros relevantes, e. g. dimensiones  y  tiempos  de  inversión  de  la  polarización,  en  un  dispositivo  modelado  como transistor de efecto campo de espín, que utilice en calidad de portadores a los huecos

• Materias:Campos electromagnéticos
• Subjects:Electromagnetic fields
• Palabras claves:Espintrónica, acoplamiento espín-órbita, transporte espín polarizado en semiconductores, transistor de efecto campo de espín
• Keywords:Spintronics,spin-orbit coupling, spin-polarized transport in semiconductors, spin field effect transistors