La estructura del óxido de indio y estaño (ITO) (100 nm)/trióxido de molibdeno (MoO3) (15 nm)/N,N0-bis-(1-naftil)-N,N0-bifenil-1,10-bifenil-440-diamina (NPB) (40 nm)/4,4′-Bis(2,2-difenilvinil)-1,1′-bifenilo (DPVBi) (10 nm)/5,6,11,12-tetrafenilnaftaceno (Rubreno) (0.2 nm)/DPVBi (24 nm)/Rubreno (0,2 nm)/DPVBi (6 nm)/4,7-difenil-1,10-fenantrolina (BPhen): se fabricó carbonato de cesio (Cs2Co3) (10 nm)/Al (120 nm) con diodo blanco orgánico emisor de luz (WOLED) de gran pureza de color y estabilidad. La función del material ultrafino múltiple (MUTM), como el Rubreno, es la de capa emisora de luz amarilla y capa atrapadora. Los resultados muestran que el MUTM tiene un excelente efecto de captura de portadores, lo que se traduce en una gran estabilidad del color del dispositivo a diferentes voltajes aplicados. La coordenada de la Commissions Internationale De L'Eclairage (CIE) de este dispositivo a 3~7 V tiene pocos desplazamientos y muestra una variación muy ligera de (±0,01, ±0,01). El brillo máximo de 9986 cd/m2 y las coordenadas CIE de (0,346, 0,339) se obtienen a 7 V. El mayor rendimiento del dispositivo puede deberse al atrapamiento directo de carga en el MUTM y puede encontrarse en el proceso de electroluminiscencia (EL).
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