Resumen

Hemos fabricado fotodiodos Schottky (PD) de GaN sobre sustratos de Si(111) recubiertos con una multicapa tampón de AlN/AlGaN. Se observó que su corriente oscura era mucho menor que la de dispositivos idénticos preparados sobre sustratos de zafiro. Con una longitud de onda incidente de 359 nm, la respuesta máxima de los fotodetectores Schottky de n--GaN con electrodos de contacto de TiW fue de 0,1544 A/W, lo que corresponde a una eficiencia cuántica del 53,4%. Para un ancho de banda dado de 1 kHz y una polarización de 5 V, la potencia equivalente de ruido (NEP) resultante de los fotodetectores Schottky de n--GaN con electrodos de TiW fue de 1,033×10-12 W, lo que corresponde a una detectividad (D*) de 1,079×1012 cm-Hz0,5 W-1.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:fotodetectores n--gan schottky, fotodiodos gan schottky, electrodos de contacto tiw, electrodos tiw, corriente oscura, potencia equivalente, dispositivos idénticos, longitud de onda incidente, máxima responsividad, eficiencia cuántica
• Keywords:n−-gan schottky photodetectors, gan schottky photodiodes, tiw contact electrodes, tiw electrodes, dark current, equivalent power, identical devices, incident wavelength, maximum responsivity, quantum efficiency