Resumen

Se fabricaron diodos emisores de luz basados en puntos cuánticos (QD-LED) utilizando chips de GaN azules y QD de ZnCuInS/ZnSe/ZnS emisores rojos, amarillos y verdes. Las eficiencias de potencia medidas fueron de 14,0 lm/W para los LED rojos, 47,1 lm/W para los amarillos y 62,4 lm/W para los verdes a 2,6 V. El efecto de la temperatura de los QDs de ZnCuInS/ZnSe/ZnS en estos LEDs se investigó utilizando las coordenadas de cromaticidad CIE, la longitud de onda espectral, la anchura total a medio máximo (FWHM) y la eficiencia energética (PE). Se confirmó que el apagado térmico inducido por el aumento de la temperatura superficial del dispositivo era uno de los factores importantes que disminuían la eficiencia energética, mientras que las coordenadas de cromaticidad CIE apenas variaban debido a los bajos coeficientes de temperatura de emisión de 0,022, 0,050 y 0,068 nm/°C para los QD de ZnCuInS/ZnSe/ZnS que emitían rojo, amarillo y verde. Esto indica que los QD de ZnCuInS/ZnSe/ZnS son más adecuados para los LED de conversión descendente que los QD de CdSe.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:zns qds, coordenadas de cromaticidad cie, zncuins, znse, eficiencias de potencia, coeficientes de temperatura de baja emisión, blue gan chips, leds, cdse qds, downconversion leds
• Keywords:zns qds, cie chromaticity coordinates, zncuins, znse, power efficiencies, low emission temperature coefficients, blue gan chips, leds, cdse qds, downconversion leds