Resumen

Se sintetizaron nanopartículas de antimonida de indio a temperatura ambiente. Las mediciones de difracción de rayos X se utilizan para caracterizar los nanocompuestos. La nanopartícula de InSb tiene un tamaño medio de partícula en un rango de 47 mm a 99 mm que se observa utilizando el resultado de la DRX. El InSb es un material que se utiliza para diseñar el transistor. Para el diseño se utiliza el simulador TCAD, mediante el cual se estructura el dispositivo HEMT y se analiza su rendimiento, comprobándose que el transistor funciona como los dispositivos normales. Este dispositivo diseñado es más valioso ya que se utiliza un material InSb nanocompuesto como canal en el dispositivo HEMT, dando lugar así al dispositivo HEMT de tamaño nanométrico. Además, el InSb tiene la propiedad de una alta velocidad de saturación y movilidad que da lugar a un mayor rendimiento del dispositivo que cualquier otro material de los compuestos III-V.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:dispositivo hemt, medición por difracción de rayos, nanopartículas de antimoníaco de indio, dispositivo hemt de tamaño nano, tamaño medio de las partículas, material insb nanocompuesto, alta velocidad de saturación, resultados xrd, insb, dispositivo diseñado
• Keywords:hemt device, ray diffraction measurement, indium antimonide nanoparticles, nanosized hemt device, average particles size, nanocomposite insb material, high saturation velocity, xrd results, insb, designed device