Resumen

Existe una gran demanda de investigación de nuevos dispositivos con mayor velocidad de acceso y estabilidad para reemplazar la celda de almacenamiento SRAM actual. La memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM) es un óxido metálico que se basa en un dispositivo de memoria no volátil que posee las características de alta velocidad de lectura/escritura, alta densidad de almacenamiento, bajo consumo de energía, bajo costo, celda muy pequeña, ser no volátil y tener una resistencia ilimitada a la escritura. El dispositivo tiene un tiempo de borrado extremadamente corto y la carga almacenada no puede ser destruida después de apagar la energía. Por lo tanto, el dispositivo ReRAM es un dispositivo de almacenamiento significativo para muchas aplicaciones en la próxima generación. En este artículo, primero exploramos el mecanismo del dispositivo ReRAM basado en el modelo de movilidad de iones y luego aplicamos este dispositivo para optimizar el diseño de la matriz de conmutación de FPGA. Los resultados muestran que es beneficioso mejorar el rendimiento de FPGA reemplazando las celdas SRAM tradicion

• Materias:Ecuaciones en diferencias Ecuación unidimensional Filtrado de información Prevención de interbloqueos Sistemas estocásticos
• Subjects:Difference equations One-dimensional equation Information filtering Interlock prevention Stochastic systems
• Palabras claves:Investigación; ReRAM; Dispositivo; Almacenamiento; Memoria; Velocidad
• Keywords:Research; ReRAM; Device; Storage; Memory; Speed