Resumen

Se presenta un nuevo circuito sumador completo. El objetivo principal es reducir el producto de retardo de potencia (PDP) en la célula sumadora completa presentada. Se utiliza un nuevo método para diseñar una célula sumadora completa con un número reducido de transistores. El sumador completo propuesto se implementa en tecnología de nanotubos de carbono tipo MOSFET y el diseño se basa en la tecnología estándar de 32 nm de MOSIS. Los resultados de la simulación mediante HSPICE muestran que hay mejoras sustanciales tanto en potencia como en rendimiento del circuito propuesto en comparación con los últimos diseños. Además, el circuito propuesto se ha implementado en el proceso convencional de 32 nm para comparar las ventajas de utilizar nanotubos de carbono tipo MOSFET en circuitos aritméticos frente a la tecnología CMOS convencional. El circuito propuesto puede aplicarse en aplicaciones de muy alto rendimiento y muy bajo consumo.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanopartículas Nanocompuestos Nanocables
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanoparticles Nanocomposites Nanowires
• Palabras claves:célula sumadora completa, circuito, como tecnología de nanotubos de carbono, circuito sumador completo novedoso, tecnología cmos convencional, como nanotubos de carbono, producto de retardo de potencia, mosfet, hspice show, circuitos aritméticos
• Keywords:full adder cell, circuit, like carbon nanotube technology, novel full adder circuit, conventional cmos technology, like carbon nanotubes, power delay product, mosfet, hspice show, arithmetic circuits