Resumen

Se ha analizado y caracterizado la circuitería de un sensor capacitivo de desplazamiento nanométrico que utiliza el oscilador en anillo. Nos centramos en la sensibilidad del sensor para detectar el desplazamiento nanométrico o la deformación. El objeto objetivo desplazado debe ser conductor y el medio alrededor del objeto objetivo debe ser un aislante o un vacío. La sensibilidad en el rango de L < 1 μm mejora con la disminución del tamaño del electrodo del sensor, y el uso de una frecuencia de oscilación libre más alta puede aumentar la sensibilidad. El sensor propuesto, que convierte el desplazamiento del objeto objetivo en la frecuencia de oscilación, se fabricó con tecnología CMOS de 350 nm, y la sensibilidad se estimó en 8,16 kHz/nm. Los resultados de nuestro estudio indicaron que el sensor presentado tiene sensibilidad suficiente para detectar el desplazamiento nanométrico del objeto objetivo a una distancia de 1 μm de la superficie del electrodo del sensor.

• Materias:Nanoestructuras Redes de sensores Sensores electroquímicos Biosensores Sensores piezoeléctricos
• Subjects:Nanostructures Sensor networks Electrochemical sensors Biosensors Piezoelectric sensors
• Palabras claves:objeto objetivo, sensibilidad, sensor, desplazamiento nanométrico, frecuencia de oscilación, electrodo sensor, sensor capacitivo de desplazamiento nanométrico, objeto objetivo desplazado, sensibilidad suficiente, tecnología nm
• Keywords:target object, sensitivity, sensor, nanometer displacement, oscillation frequency, sensor electrode, capacitive nanometer displacement sensor, displaced target object, enough sensitivity, nm technology