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Artículo

Design and Fabrication of Nanoscale IDTs Using Electron Beam Technology for High-Frequency SAW DevicesDiseño y fabricación de IDT a nanoescala con tecnología de haz de electrones para dispositivos SAW de alta frecuencia

Resumen

Se fabricaron dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW) en modo Rayleigh de alta frecuencia para telecomunicaciones móviles 4G. Se adoptó el método de pulverización catódica por magnetrón RF para hacer crecer películas finas piezoeléctricas de nitruro de aluminio (AlN) sobre sustratos Si3N4/Si. Se investigó la influencia de los parámetros de sputtering en las características cristalinas de las películas delgadas de AlN. A continuación, se fabricaron electrodos transductores interdigitales (IDT) de aluminio (Al) sobre las superficies de AlN utilizando el método de litografía de escritura directa por haz de electrones (e-beam) para formar los dispositivos SAW estructurados de Al/AlN/Si3N4/Si. Los electrodos de Al se adoptaron debido a su baja resistividad, bajo coste y baja densidad del material. Para aplicaciones 4G en telecomunicaciones móviles, se diseñaron las anchuras de línea de 937 nm, 750 nm, 562 nm y 375 nm de los IDT. La orientación preferente y las propiedades cristalinas de las películas delgadas de AlN se determinaron mediante difracción de rayos X utilizando un Siemens XRD-8 con radiación CuK α. Además, las imágenes transversales de las películas delgadas de AlN se obtuvieron mediante microscopio electrónico de barrido. Por último, se midieron las respuestas en frecuencia de los dispositivos SAW de alta frecuencia utilizando el analizador de redes E5071C. Se obtuvieron las frecuencias centrales de los dispositivos SAW de alta frecuencia en modo Rayleigh de 1,36 GHz, 1,81 GHz, 2,37 GHz y 3,74 GHz. Este estudio demuestra que el método de procesamiento propuesto contribuye significativamente a los dispositivos SAW de alta frecuencia para comunicaciones inalámbricas.

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