En este documento, se diseña y analiza un interruptor RF MEMS con contacto capacitivo para aplicaciones en la banda Ka. Se ha utilizado una configuración de viga/tipo meandro fija-fija para diseñar el interruptor para la banda de frecuencia de 10GHz a 40GHz. El análisis electromagnético y electromecánico de la estructura/diseño tridimensional (3D) se ha analizado en múltiples simuladores de método de elementos finitos (FEM) basados en ondas completas (Coventorware y simulador de estructuras de alta frecuencia). También se ha llevado a cabo un estudio comparativo en este trabajo. Se ha tomado un sustrato de silicio de alta resistividad (, , ) con un grosor de para la realización del interruptor. La estructura diseñada muestra un voltaje de actuación de alrededor de 9,2V. La coincidencia de impedancia para la estructura del interruptor está muy por debajo de los 20dB, la pérdida en estado activo, es decir, la pérdida de inserción >0.5dB, y
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