Resumen

La sintonizabilidad de la energía de la banda de InGaN en un amplio rango proporciona una buena correspondencia espectral con la luz solar, lo que lo convierte en un material adecuado para células solares fotovoltaicas. El objetivo principal de este trabajo es diseñar y simular la célula solar de unión simple de InGaN óptima. Para obtener resultados más precisos y la mejor configuración, en las simulaciones se tuvieron en cuenta las propiedades ópticas y los modelos físicos, como la estadística Fermi-Dirac, la recombinación Auger y Shockley-Read-Hall, y el modelo de dopaje y movilidad dependiente de la temperatura. La célula solar de una sola unión In0,622Ga0,378N (Eg = 1,39 eV) es la estructura óptima encontrada. Presenta, en condiciones normalizadas (AM1,5G, 0,1 W/cm2 y 300 K), los siguientes parámetros eléctricos: Jsc=32,6791 mA/cm2, Voc=0,94091 voltios, FF = 86,2343%, y η=26,5056%. Se observó que el tiempo de vida de los portadores minoritarios y la velocidad de recombinación superficial tienen un efecto importante en el rendimiento de la célula solar. Además, los resultados de la investigación muestran que la eficiencia de la célula solar In0.622Ga0.378N es inversamente proporcional a la temperatura.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:célula solar, energía ingan band gap, modelo de movilidad dependiente, buena correspondencia espectral, tiempo de vida de los portadores minoritarios, células solares fotovoltaicas, eficiencia de las células solares, rendimiento de las células solares, velocidad de recombinación superficial, cm2
• Keywords:solar cell, ingan band gap energy, dependent mobility model, good spectral match, minority carrier lifetime, photovoltaic solar cells, solar cell efficiency, solar cell performance, surface recombination velocity, cm2