Resumen

Se desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de  huecos (pesados/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III-V, considerando una perturbación  externa.  En  los  cálculos,  usando  la  Aproximación  Dispersiva  Multicomponente,  se incluyó  la  interacción  con  un  campo  eléctrico  externo  paralelo  a  la  dirección  de  propagación –perpendicular  a  las  intercaras –y  se estudiaron  las  las  magnitudes  relevantes  del  transporte cuántico  de  huecos –transmisión,  conductancia  y tiempo  de  fase.  Este  formalismo  nos  permitió considerar  simultáneamente  todos  los  canales  propagantes.  Para  el  sistema  de  la  barrera  simple, se  estudióla  dependencia  de  la  conductancia  con  el  campo  aplicado  a  través  de  los  diferentes canales de huecos. Igualmente, se analizó cómo el aumento del in-plane momentum _κT afecta los resultados,  lo  cuál  nos  brinda  una  idea  de  cómo  el  acoplamiento  entre  bandas  influencia  la transmisión  con  un  voltaje  aplicado.  Adicionalmente,  fijando  diferentes  valores  de  la  mezcla interbanda,  se  hizo  un  breve  estudio  del  tiempo  de  transmisión  de  la  fase  como  función  del voltaje aplicado en la heteroestructura. Nuestros resultados fueron exitósamente comparados con algunos   comportamientos   obtenidos   previamente   en   el   tunelaje   de   huecos   a   través   de heteroestructuras semiconductoras usando diferentes aproximaciones.

• Materias:Semiconductores Estructura Electrónica Dinámica de estructuras Campos eléctricos
• Subjects:Semiconductors electronic structure Structural dynamics Electric fields
• Palabras claves:Dispersión, Tunelaje de huecos, Aproximación Dispersiva Multicomponente
• Keywords:Scattering, Hole tunneling,Multicomponent Scattering Approach