Resumen

Proponemos un dispositivo de magnetorresistencia gigante (GMR), que puede realizarse experimentalmente depositando dos bandas ferromagnéticas (FM) y una banda metálica Schottky (SM) en configuración paralela sobre la heteroestructura de GaAs. El efecto GMR atribuye una diferencia significativa de transmisión de electrones entre las configuraciones de magnetización paralela y antiparalela de dos tiras FM. Además, la relación de RMG depende fuertemente de la fuerza magnética de la barrera magnética (MB) y de la altura de la barrera eléctrica (EB) inducida por un voltaje aplicado a la banda SM. Así pues, este sistema puede utilizarse como un dispositivo GMR con MR sintonizable mediante un voltaje aplicado a la banda SM o mediante la fuerza magnética de la MB.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:raya sm, fuerza magnética, diferencia significativa de transmisión de electrones, configuraciones de magnetización antiparalelas, voltaje, rayas fm, dispositivo gmr, efecto gmr, heteroestructura gaas, relación mr
• Keywords:sm stripe, magnetic strength, significant electron transmission difference, antiparallel magnetization configurations, voltage, fm stripes, gmr device, gmr effect, gaas heterostructure, mr ratio