Proponemos un dispositivo de magnetorresistencia gigante (GMR), que puede realizarse experimentalmente depositando dos bandas ferromagnéticas (FM) y una banda metálica Schottky (SM) en configuración paralela sobre la heteroestructura de GaAs. El efecto GMR atribuye una diferencia significativa de transmisión de electrones entre las configuraciones de magnetización paralela y antiparalela de dos tiras FM. Además, la relación de RMG depende fuertemente de la fuerza magnética de la barrera magnética (MB) y de la altura de la barrera eléctrica (EB) inducida por un voltaje aplicado a la banda SM. Así pues, este sistema puede utilizarse como un dispositivo GMR con MR sintonizable mediante un voltaje aplicado a la banda SM o mediante la fuerza magnética de la MB.
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