Resumen

Proponemos dispositivos de memoria e inyección de espín fabricados con materiales semimetálicos y basados en el efecto Hall anómalo. Se presentan diagramas esquemáticos de los chips de memoria, en forma de película delgada y de cristal a granel. También se proponen dispositivos de inyección de espín fabricados en forma de película delgada. Estos dispositivos no necesitan ningún campo magnético externo, sino que utilizan su propia magnetización. Sólo se necesita un voltaje de puerta. Los portadores están polarizados al 100%. Los dispositivos de memoria pueden ser potencialmente más pequeños, más rápidos y menos volátiles que los existentes, y los dispositivos de inyección pueden ser mucho más pequeños y eficientes que los dispositivos de inyección de espín existentes.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanopartículas Nanocompuestos Nanocables
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanoparticles Nanocomposites Nanowires
• Palabras claves:dispositivos de inyección de espín, dispositivos de inyección de espín, efecto Hall anómalo, forma de cristal a granel, campo magnético externo, forma de película delgada, dispositivos de memoria, diagramas esquemáticos, tensión de puerta, dispositivos de inyección
• Keywords:spin injection devices, spin injection devices, anomalous hall effect, bulk crystal form, external magnetic field, thin film form, memory devices, schematic diagrams, gate voltage, injection devices