Resumen

En este trabajo se presentan dispositivos electroluminiscentes (ELD) basados en uniones de óxido de zinc dopado con indio (ZnO:In) y capas de silicio poroso (PSL). Se obtuvieron PSL con diferentes espesores y emisión fotoluminiscente, en torno a 680 nm, mediante grabado anódico. Las PSL se recubrieron con una película de ZnO:In que se obtuvo mediante la técnica de pirólisis por pulverización ultrasónica. Una vez obtenida, esta estructura se caracterizó óptica y eléctricamente. Cuando los dispositivos se polarizaban eléctricamente mostraban electroluminiscencia (EL) estable que se presentaba en forma de puntos dispersos por la superficie. Estos puntos pueden verse a simple vista. La EL observada va de los 410 a los 1100 nm, formada por diferentes bandas de emisión. La emisión EL en la región visible se situó en torno a los 400 a 750 nm, y la emisión correspondiente a la parte infrarroja abarca los 750 a 1150 nm. La caracterización eléctrica se llevó a cabo mediante curvas corriente-voltaje (I-V) que muestran un comportamiento rectificador de los dispositivos. Los puntos electroluminiscentes observados están asociados a la inyección de electrones-huecos en estados cuantizados en el PS, así como a la emisión de la película de ZnO:In.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:psl, zno, técnica de pirólisis por pulverización ultrasónica, diferentes bandas de emisión, capas de silicio poroso, dispositivos, puntos, emisión, película, emisión el
• Keywords:psl, zno, ultrasonic spray pyrolysis technique, different emission bands, porous silicon layers, devices, dots, emission, film, el emission