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Heterovalent Cation Substitutional and Interstitial Doping in Semiconductor Sensitizers for Quantum Dot Cosensitized Solar CellDopaje sustitucional e intersticial de cationes heterovalentes en sensibilizadores semiconductores para células solares cosensibilizadas de puntos cuánticos

Resumen

Se han preparado películas dopadas de TiO2/PbS/CdS mediante el método de adsorción y reacción sucesivas de capas iónicas (SILAR). Los puntos cuánticos (QD) de PbS dopados con Bi y Ag se produjeron mezclando Bi3 o Ag durante la deposición y se analizaron las formas existentes del elemento dopante en los QD de PbS. Los resultados muestran que Bi3 entró en el espacio cúbico de PbS como donante, dando lugar al dopado intersticial Bi-dopado-PbS QD, mientras que Ag sustituyó a Pb2 de PbS como aceptor, dando lugar al dopado sustitucional Ag-dopado-PbS QD. Se fabricaron las nuevas células solares cosensibilizadas de puntos cuánticos (QDCSC) con PbS/CdS dopado con Bi y PbS/CdS dopado con Ag, y se alcanzó una eficiencia de conversión de potencia (PCE) del 2,4 y 2,2%, respectivamente, bajo iluminación solar total.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Heterovalent Cation Substitutional and Interstitial Doping in Semiconductor Sensitizers for Quantum Dot Cosensitized Solar Cell
  • Autor:Ningning, Zhang; Xiaoping, Zou; Yanyan, Gao
  • Tipo:Artículo
  • Año:2015
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
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