Resumen

En el silicio dopado con boro y recocido en un ambiente de plasma (a 150°C), el perfil de concentración de hidrógeno y el perfil de agujeros reportados no pueden ajustarse simultáneamente asumiendo sólo un tipo de iones de hidrógeno in-difusos H de un parámetro definido D K (donde D es la difusividad de H y K es la constante de disociación de equilibrio del defecto HB, el boro pasivado). Un buen ajuste sólo es posible suponiendo dos tipos independientes de H -uno de un valor mayor de D K y el otro de un valor menor. El concepto de dos subsistemas atómicos independientes H(1) y H(2), cada uno de los cuales implica estados de carga positiva y neutra, también es útil para explicar el emparejamiento del hidrógeno en dímeros.

• Materias:Polímeros Campos electromagnéticos Hornos de cemento Poliuretanos Nanopartículas Cemento
• Subjects:Polymers Electromagnetic fields Cement kilns Polyurethanes Nanoparticles Cement
• Palabras claves:estado de carga neutra, subsistema atómico independiente, perfil de concentración de hidrógeno, silicio dopado, defectos hb, tipo independiente, boro pasivado, ion hidrógeno, valor mayor, ambiente de plasma
• Keywords:neutral charge state, independent atomic subsystem, hydrogen concentration profile, doped silicon, hb defects, independent kind, passivated boron, hydrogen ion, larger value, plasma ambient