Resumen

Se han estudiado las propiedades estructurales, ópticas y de conductividad de una película de silicio depositada sobre una capa amortiguadora de dióxido de cerio. La estructura electrónica del sistema consta de varios niveles de defectos dentro del band gap. La distribución espacial de la temperatura desempeña un gran papel en la cristalización del silicio. Se investigó la destrucción de la fase cristalina y su restauración tras el recocido.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Bioengineering Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system
• Palabras claves:capa tampón de dióxido de cerio, varios niveles de defectos, brecha de banda, propiedades de conductividad, fase cristalina, estructura electrónica, destrucción del campo, gran papel, cristalización del silicio, película de silicio
• Keywords:cerium dioxide buffer layer, various defect levels, band gap, conductivity properties, crystal phase, electronic structure, field destruction, great role, silicon crystallization, silicon film