Resumen

Las películas delgadas de (In, Ga, Zn)O x (IGZO) se depositaron sobre sustratos de vidrio utilizando el método de cosputtering en un sistema de sputtering por magnetrón de radiofrecuencia. Se utilizaron como blancos cerámicos Zn2Ga2O5 (Ga2O3-2 ZnO, GZO) e In2O3 y se emplearon pistolas duales para depositar las películas delgadas de IGZO. La potencia de deposición del blanco GZO fue de 80 W y la del blanco In2O3 puro varió de 70 W a 100 W, y el tiempo de deposición fue de 30 min. El efecto de la potencia de deposición del blanco de In2O3 sobre las propiedades cristalinas, superficiales, eléctricas y ópticas de las películas delgadas de IGZO se investigó a temperatura ambiente en una atmósfera de Ar puro. Las películas delgadas de IGZO cosputtered mostraron una superficie muy lisa y sin características y una estructura amorfa independientemente de la potencia de deposición del blanco de In2O3 debido al proceso de sputtering a temperatura ambiente. Sin embargo, las películas delgadas de IGZO cosputtered mostraron propiedades de electrodo transparente porque tenían una alta relación de transmitancia y baja resistividad. Las variaciones en los valores de la brecha de banda óptica ( E g ) de la película delgada IGZO se evaluaron a partir de los gráficos de ( α h ν ) 2 = c ( h ν - E g ) . También se demostró que la potencia de deposición del blanco de In2O3 tenía un gran efecto sobre la movilidad y el valor de E g de las películas delgadas de IGZO.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:películas delgadas, poder de deposición, igzo, e g, igzo cosputtered, temperatura ambiente, valor de e g, alta relación de transmitancia, brecha de banda óptica, atmósfera de ar puro
• Keywords:thin films, deposition power, igzo, e g, cosputtered igzo, room temperature, e g value, high transmittance ratio, optical band gap, pure ar atmosphere