Resumen

Se ha estudiado el comportamiento del hierro, los pares hierro-boro (FeB) y los complejos hierro-boro-fósforo (FeB-P) en silicio Czochralski dopado con B con compensación de fósforo (P) y se ha comparado con el del material no compensado. Se ha medido la concentración intersticial de hierro a temperaturas comprendidas entre 50 y 270°C. La energía de enlace aparente (Eb) del FeB en el silicio compensado es de (0,25 ± 0,03) eV, significativamente menor que la de (0,53 ± 0,02) eV en el silicio no compensado. Se discuten las posibles razones de esta reducción de la energía de enlace mediante métodos experimentales y de cálculo. Los resultados son importantes para comprender y controlar el comportamiento del Fe en el silicio compensado.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:feb, hierro, concentración intersticial de hierro, comportamiento, boro, energía, fósforo, czochralski silicio, posibles razones, métodos de cálculo
• Keywords:feb, iron, interstitial iron concentration, behavior, boron, energy, phosphorus, czochralski silicon, possible reasons, calculation methods