Resumen

Se formó una estructura micropiramidal en la superficie de una oblea de silicio monocristalino (100) mediante una técnica de grabado químico anisotrópico en húmedo. El objetivo principal era evaluar el rendimiento del grabador en función de la reflectancia de la superficie del silicio. Se seleccionaron diferentes concentraciones de volumen de alcohol isopropílico (IPA) (2, 4, 6, 8 y 10%) y diferentes tiempos de grabado (10, 20, 30, 40 y 50 min) para estudiar la reflectancia total de las obleas de silicio. Los demás parámetros, como la concentración de NaOH (12% en peso), la temperatura de la solución (81,5°C) y el rango de velocidades del agitador (400 rpm) se mantuvieron constantes para todos los procesos. La morfología de la superficie de la oblea se analizó mediante microscopía óptica y microscopía de fuerza atómica (AFM). Las imágenes de AFM confirmaron una estructura piramidal bien uniforme con varios tamaños medios de pirámide que oscilaban entre 1 y 1,6 μm. Se utilizó un espectrofotómetro UV-Vis con esfera integradora para obtener la reflectividad total. Las obleas de silicio texturizadas muestran una alta absorbencia en la región visible. Los parámetros óptimos de textura-grabado resultaron ser 4-6% vol. de IPA y 40 min en los que la reflectancia total media de la oblea de silicio se redujo al 11,22%.

• Materias:Análisis cromatográfico Electroquímica Química farmacéutica Método espectrofotométrico
• Subjects:Chromatographic analysis Electrochemistry Chemistry pharmaceutical Spectrophotometric method
• Palabras claves:oblea de silicio, oblea de silicio texturizado, reflectancia total media, oblea de silicio monocristalino, microscopía de fuerza atómica, alcohol isopropílico diferente, reflectancia del silicio, tiempo de grabado diferente, reflectancia de la superficie del silicio, técnicas de grabado anisotrópico
• Keywords:silicon wafer, textured silicon wafer, average total reflectance, monocrystalline silicon wafer, atomic force microscopy, different isopropyl alcohol, reflectance of silicon, different etching time, silicon surface reflectance, anisotropic etching techniques