Resumen

La técnica más común de fabricación de silicio poroso (PS) es el grabado electroquímico de una oblea de silicio cristalino en una solución a base de ácido fluorhídrico (HF). El proceso electroquímico permite controlar con precisión las propiedades del PS, como el grosor de la capa porosa, la porosidad y el diámetro medio de los poros. El efecto de la concentración de HF en el electrolito utilizado sobre las propiedades físicas y electrónicas del PS se estudió mediante observación visual del color, medición de la isoterma de sorción de nitrógeno, microscopía electrónica de barrido de tipo emisión de campo, espectroscopia Raman y espectroscopia de fotoluminiscencia. Se observó que, al disminuir la concentración de HF, aumentaba el diámetro de los poros. Se observó que la muestra de PS con un diámetro de poro grande, es decir, con un tamaño nanocristalino de Si más pequeño entre los poros, daba lugar a un pico de fotoluminiscencia pronunciado. El aumento sistemático del pico de fotoluminiscencia con el aumento del diámetro de los poros y la porosidad del PS se atribuyó al confinamiento cuántico. Los cambios en el silicio poroso nanocristalino también se observaron claramente mediante un ensanchamiento asimétrico y un desplazamiento de los fonones ópticos del silicio en los espectros Raman. El cambio en las propiedades electrónicas del PS con el diámetro de los poros sugiere posibilidades de uso del material PS como plantilla para la física fundamental, así como material óptico para aplicaciones tecnológicas.

• Materias:Análisis electroquímico Nanopartículas Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanoparticles Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system Nanotubes
• Palabras claves:diámetro de poro, concentración de hf, propiedades electrónicas, diámetro medio de poro, técnica común de fabricación, oblea de silicio cristalino, tipo de emisión de campo, gran diámetro de poro, silicio poroso nanocristalino, fonones ópticos de silicio
• Keywords:pore diameter, hf concentration, electronic properties, average pore diameter, common fabrication technique, crystalline silicon wafer, field emission type, large pore diameter, nanocrystalline porous silicon, optical silicon phonons