Resumen

Hemos investigado los efectos de diferentes formas de pozo sobre la eficiencia cuántica externa (EQE) y la caída de la eficiencia en diodos emisores de luz de doble heteroestructura InGaN/GaN de pozo ancho. Para densidades de corriente en el rango de medida de más de 135 A/cm2, el dispositivo con un pozo trapezoidal mostró mejores EQE y una menor caída de la eficiencia que el dispositivo con un pozo rectangular. La disminución de la pérdida Auger se ha propuesto como la principal razón de la mayor eficiencia máxima que se produjo a alta densidad de corriente (>50 A/cm2). Para los dispositivos que incorporan pozos trapezoidales y rectangulares, los EQE a 200 A/cm2 disminuyeron en un 14 y un 40%, respectivamente, con respecto a sus valores máximos, resultando en que el EQE a una densidad de corriente de 200 A/cm2 del dispositivo que incorpora un pozo trapezoidal es un 17,5% mayor que el que incorpora un pozo rectangular. Estos resultados sugieren que, además de la disminución de la pérdida Auger, la reducción de la caída de la eficiencia a densidades de corriente más altas podría deberse a una mayor eficiencia cuántica interna resultante de la mejora de la eficiencia de inyección de portadores del pozo trapezoidal.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:cm2, dispositivo, pérdida por barrena, pozo rectangular, mayor eficiencia cuántica interna, caída de la eficiencia de alivio, eficiencia de inyección de portador, diferentes formas de pozo, eficiencia cuántica externa, densidades de corriente de avance
• Keywords:cm2, device, auger loss, rectangular well, higher internal quantum efficiency, alleviative efficiency droop, carrier injection efficiency, different well shapes, external quantum efficiency, forward current densities