Resumen

El grabado químico asistido por metal (MacEtch) ha atraído una atención considerable por su capacidad para fabricar micro y nanoestructuras con elevadas relaciones de aspecto y por sus aplicaciones en otros campos microelectromecánicos. Sin embargo, pocos estudios han informado sobre el efecto de la fotoiluminación en MacEtch. En este estudio, se depositaron nanopartículas de oro (GNP) sobre la superficie de una oblea de Si mediante la reacción de sustitución galvánica asistida por fluoruro y, a continuación, se investigó el efecto de la fotoiluminación sobre el MacEtch de la oblea de Si. La profundidad grabada aumentó linealmente con el tiempo de grabado de 0 a 45 min y fue considerablemente mayor en la zona iluminada que en la no iluminada. Se observó un retraso en el grabado MacEtch de la zona no iluminada. Sin embargo, no se observó ningún retraso en la zona iluminada. El atrapamiento de la luz por los GNPs en la superficie del sustrato de Si durante el proceso de MacEtch mejoró la eficacia del grabado debido a la resonancia localizada del plasmón superficial.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:macetch, oblea de si, área iluminada, tiempo de retardo, área no iluminada, superficie del sustrato de si, reacción galvánica de sustitución, relaciones de aspecto elevadas, resonancia de plasmón superficial, gnps
• Keywords:macetch, si wafer, illuminated area, lag time, nonilluminated area, si substrate surface, galvanic replacement reaction, high aspect ratios, surface plasmon resonance, gnps