Resumen

La nanocinta de grafeno bicapa es un material prometedor con propiedades físicas y eléctricas excepcionales que ofrece una amplia gama de oportunidades para aplicaciones avanzadas en la futura nanoelectrónica. En este estudio, se explora la aplicación de la nanorbanda de grafeno bicapa en el diodo de barrera schottky debido a sus diferentes disposiciones de apilamiento. En otras palabras, se propone un diodo de barrera schottky de nanorbono de grafeno bicapa como resultado del contacto entre un semiconductor (apilamiento AB) y capas metálicas (apilamiento AA). Para ello, se presenta un modelo analítico junto con la solución numérica de la concentración de portadores para el nanorbono de grafeno bicapa en los regímenes degenerado y no degenerado. Además, para determinar el rendimiento del diodo propuesto, se adopta el modelo de concentración de portadores para derivar la característica corriente-voltaje del dispositivo. Los resultados simulados indican que la geometría de las nanocintas de grafeno bicapa y la dependencia de la temperatura de la característica corriente-voltaje muestran que la corriente directa del diodo aumenta al aumentar la anchura. Además, el valor más bajo de la tensión de conexión aparece a medida que aumenta la temperatura. Por último, el estudio comparativo indica que el diodo propuesto tiene un mejor rendimiento en comparación con el diodo schottky de silicio, el contacto de homounión de nanorbono de grafeno y el diodo schottky de grafeno-silicio en términos de parámetros eléctricos como la tensión de conexión y la corriente de avance.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:nanorbono de grafeno bicapa, diodo schottky de silicio, diodo de barrera, característica de tensión, nanorbono schottky de grafeno bicapa, fuerte geometría del nanorbono de grafeno bicapa, nanorbono de grafeno bicapa, modelo de concentración de portadores, diferentes disposiciones de apilamiento, más aumentos de temperatura
• Keywords:bilayer graphene nanoribbon, silicon schottky diode, barrier diode, voltage characteristic, bilayer graphene nanoribbon schottky, strong bilayer graphene nanoribbon geometry, bilayer graphene nanoribbon, carrier concentration model, different stacking arrangements, more temperature increases