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Artículo

The Effect of Microcrack Length in Silicon Cells on the Potential Induced Degradation BehaviorEfecto de la longitud de las microfisuras en las células de silicio sobre el comportamiento de degradación inducida por el potencial

Resumen

La presencia de microfisuras puede provocar pérdidas en la potencia de salida del módulo y poner en peligro su seguridad. En este trabajo se investiga si las microfisuras microscópicas existentes en las células facilitan el comportamiento PID. Se fabricaron células con diferentes grados de microfisuras en pequeños módulos para someterlos a la prueba PID simulada. Se caracterizaron el rendimiento I-V y las imágenes EL de los módulos antes y después del ensayo PID. Los resultados obtenidos demuestran que a medida que aumenta el área o la longitud de las microfisuras, los módulos muestran un comportamiento PID más grave. Se propuso el mecanismo de esta degradación relacionada con la longitud de la microfisura bajo un alto sesgo negativo.

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