Aquí mostramos que cuando la temperatura de tratamiento de oxidación supera los 600 °C, la resistencia a la tracción de SiC/SiC comienza a disminuir. La oxidación provoca daños en la interfaz fibra/matriz de PyC, la cual es reemplazada por SiO a temperaturas más altas. El modo de fractura cambia de extracción de fibra a rotura de fibra a medida que la interfaz fibra/matriz se llena de SiO. El tiempo de oxidación también juega un papel importante en afectar la resistencia a la tracción de SiC/SiC. El módulo de tracción disminuye con la temperatura desde RT hasta 800 °C, luego aumenta por encima de 800 °C debido a la descomposición del CSiO restante y la cristalización de la matriz de SiC. Se confirma que un tratamiento especial de densificación de superficie realizado en este estudio es un enfoque efectivo para reducir los daños por oxidación y mejorar la resistencia a la tracción de SiC/SiC después de la oxidación.
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