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Effect of C/Si Ratio on the Electrochemical Behavior of a-SiC x:H Coatings on SS301 Substrate Deposited by PECVDEfecto de la relación C/Si en el comportamiento electroquímico de recubrimientos de a-SiC x:H sobre sustrato SS301 depositados por PECVD

Resumen

Se depositaron recubrimientos amorfos de carburo de silicio hidrogenado (a-SiC x:H) sobre acero inoxidable 301 (SS301) mediante deposición química en fase vapor mejorada por plasma con un flujo de gas metano de 30 a 90 sccm. Los espectros de DRX confirmaron la estructura amorfa de estos recubrimientos. Todos los recubrimientos depositados presentaban un aspecto denso homogéneo y no se observaron porosidades en los análisis SEM y AFM. Los recubrimientos de a-SiC x:H aumentaron notablemente la resistencia a la corrosión del sustrato SS301. Con el aumento de la concentración de C, los recubrimientos de a-SiC x:H mostraron un comportamiento electroquímico significativamente mejorado. El recubrimiento de a-SiC x:H con la mayor concentración de carbono actuó como una excelente barrera a la transferencia de carga, con una corriente de corrosión de 3,5 × 10 - 12 A/cm2 y una tensión de ruptura de 1,36 V, en comparación con 2,5 × 10 - 8 A/cm2 y 0,34 V para el sustrato SS301.

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