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Effect of Mn-Site for Al Substitution on Structural, Electrical and Magnetic Properties in L a 0.67 S r 0.33 M n 1 - x A l x O 3 Thin Films by Sol-Gel MethodEfecto de la Sustitución de Mn-Site por Al en las Propiedades Estructurales, Eléctricas y Magnéticas de Películas Delgadas de L a 0.67 S r 0.33 M n 1 - x A l x O 3 por el Método Sol-Gel

Resumen

Se han preparado láminas delgadas nanocristalinas de L a 0,67 S r 0,33 M n 1 - x A l x O 3 ( x = 0,00 , 0,05, 0,10, 0,15, 0,20 y 0,25) sobre sustratos de cuarzo mediante el método sol-gel. Los estudios estructurales y morfológicos se investigaron mediante difracción de rayos X (DRX) y microscopio electrónico de barrido de emisión de campo (FESEM). Los patrones gráficos de DRX muestran estructuras perovskitas romboédricas distorsionadas. Las imágenes FESEM muestran que el tamaño medio de grano disminuye a medida que aumenta la concentración de x. Las propiedades eléctricas se investigaron mediante la técnica de sonda de cuatro puntos. Los resultados de resistividad muestran que las temperaturas de transición metal-aislante (MIT) ( T p ) disminuyeron al aumentar la concentración de x. T p se desplazó a temperaturas más bajas al aumentar la concentración de x. Los datos se analizaron basándose en modelos teóricos, donde la resistividad ferromagnética se sigue con la ecuación ρ = ρ o ρ 2 T 2 , donde ρ o se debe a la importancia de los efectos de frontera de grano y aparece un segundo término ~ ρ 2 T 2 que podría aplicarse a la dispersión de electrones. En el régimen de alta temperatura ( T > T p ) , los datos de resistividad pueden describirse bien mediante los mecanismos de salto de pequeño polarón (SPH) y salto de rango variable (VRH). La propiedad magnética se investigó utilizando un magnetómetro de muestra de vibración. Todas las muestras obtenidas mostraron una curva de histéresis con el valor más alto de magnetización para la muestra x = 0,10 .

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Información del documento

  • Titulo:Effect of Mn-Site for Al Substitution on Structural, Electrical and Magnetic Properties in L a 0.67 S r 0.33 M n 1 - x A l x O 3 Thin Films by Sol-Gel Method
  • Autor:H., Abdullah; M. Syafiq, Zulfakar; S. Kien, Chen
  • Tipo:Artículo
  • Año:2014
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
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