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Effect of Annealing Temperature on CuInSe2/ZnS Thin-Film Solar Cells Fabricated by Using Electron Beam EvaporationEfecto de la temperatura de recocido en células solares de capa fina de CuInSe2/ZnS fabricadas mediante evaporación por haz de electrones

Resumen

Se han preparado con éxito películas delgadas de CuInSe2 (CIS) mediante evaporación por haz de electrones. Los polvos puros de Cu, In y Se se mezclaron y molieron en una trituradora y se convirtieron en una paleta. Las pastillas se depositaron mediante evaporación por haz de electrones sobre sustratos FTO y se variaron variando las temperaturas de recocido, a temperatura ambiente, 250°C, 300°C y 350°C. Las muestras se analizaron mediante difractometría de rayos X (XRD) para determinar la cristalinidad y microscopía electrónica de barrido de emisión de campo (FESEM) para determinar el tamaño y el grosor del grano. Se utilizaron medidas I-V para medir la eficiencia de las células solares CuInSe2/ZnS. Los resultados de DRX muestran que la cristalinidad de las películas mejoró al aumentar la temperatura. La dependencia de la temperatura con la cristalinidad indica un comportamiento policristalino en las películas de CuInSe2 con planos (1 1 1), (2 2 0)/(2 0 4) y (3 1 2)/(1 1 6) a 27°, 45° y 53°, respectivamente. Las imágenes FESEM muestran la homogeneidad del CuInSe2 formado. Las medidas I-V indican que las temperaturas de recocido más altas aumentan la eficiencia de las células solares de CuInSe2 de aproximadamente 0,99 en las películas depositadas a 1,12 en las películas recocidas. Por lo tanto, podemos concluir que el rendimiento global de la célula depende en gran medida de la temperatura de recocido.

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