Resumen

Adoptamos una capa de recubrimiento de óxido de lantano entre el canal semiconductor y las capas aislantes para la fabricación de una memoria de transistor de película fina ferroeléctrica (FGT) que utiliza una película de óxido de indio-estaño (ITO) y de titanato de plomo-zirconio (PZT) procesada en solución como capa de canal y aislante de puerta, respectivamente. Se obtuvieron buenas características del transistor, como una elevada relación de corriente "on/off", una alta movilidad de canal y una gran ventana de memoria de 108, 15,0 cm2 V-1 s-1 y 3,5 V, respectivamente. Además, se investigó la correlación entre el voltaje coercitivo efectivo, el efecto de inyección de carga y la ventana de memoria del FGT. Se ha comprobado que la inyección de carga desde el canal a la capa aislante, que se produce con un campo eléctrico elevado, influye de forma drástica en la ventana de memoria. La mejora de la ventana de memoria puede explicarse por un doble efecto de la capa de recubrimiento: (1) una reducción de la inyección de carga y (2) un aumento de la tensión coercitiva efectiva que cae sobre el aislante.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:ventanas de memoria, tensión coercitiva efectiva, capa aislante, inyección de carga, grandes ventanas de memoria, buenas características del transistor, memoria de transistor de película, alta movilidad de canal, alto campo eléctrico, relación de corriente
• Keywords:memory windows, effective coercive voltage, insulator layer, charge injection, large memory windows, good transistor characteristics, film transistor memory, high channel mobility, high electric field, current ratio