Se cultivaron películas finas de ZnO:In a partir de 100 mL de solución de pulverización sobre sustratos de vidrio mediante pulverización química a Ts=400°C utilizando velocidades de pulverización de la solución de 0,5-6,7 mL/min. Se utilizaron acetato de zinc y cloruro de indio(III) como fuentes de Zn e In, respectivamente, con [In]/[Zn] = 3 at.%. Independientemente de la velocidad de pulverización de la solución, los cristalitos de las películas de ZnO:In crecen preferentemente en el plano (101) paralelo al sustrato. La velocidad de pulverización de la solución influye en la morfología de la superficie, el tamaño de grano, el espesor de la película y las propiedades eléctricas y ópticas. Según los estudios SEM y AFM, los granos piramidales de bordes afilados y las superficies parecidas a lienzos son característicos de las películas crecidas a velocidades de pulverización de 0,5 y 3,3 mL/min, respectivamente. Para obtener películas con un grosor y tamaño de grano comparables, debe utilizarse más solución de pulverización a velocidades de pulverización bajas. La resistividad eléctrica de las películas de ZnO:In pulverizadas está controlada por la velocidad de pulverización de la solución. La concentración de portadores aumenta de 2-1019 cm-3 a 1-1020 cm-3 al aumentar la velocidad de pulverización de 0,5 mL/min a 3,3 mL/min, independientemente del espesor de la película; las movilidades de portadores son siempre menores en las películas de crecimiento lento. Las películas de ZnO:In pulverizadas transmiten el 75-80% de la luz visible, mientras que el aumento de la velocidad de pulverización de la solución de 0,5 mL/min a 3,3 mL/min disminuye la transmitancia en la región NIR y aumenta la brecha de banda de acuerdo con el aumento de la concentración de portadores. La menor concentración de portador en las películas pulverizadas lentamente se debe probablemente a la oxidación del indio.
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