Resumen

Se ha investigado el efecto de las características de las capas p e i, como el grosor y la concentración de dopaje, sobre el comportamiento eléctrico de las células solares de heteroestructura de película delgada a-Si:H/a-SiGe:H, como el campo eléctrico, la tasa de fotogeneración y la tasa de recombinación a través de la célula. La introducción de átomos de Ge en la red de Si de las células solares basadas en Si es un método eficaz para mejorar sus características. En particular, se puede aumentar la densidad de corriente de la célula sin deteriorar su tensión de circuito abierto. La optimización muestra que para una concentración adecuada de Ge, la eficiencia de la célula solar a-Si:H/a-SiGe mejora en aproximadamente un 6 omparada con la célula solar a-Si:H tradicional. Este trabajo presenta una novedosa evaluación numérica y optimización de células solares de película delgada de silicio amorfo de doble unión (a-Si:H/a-SiGe:H) y se centra en la optimización de la célula solar de a-SiGe:H de unión simple de brecha media basada en la optimización de la concentración de dopaje de la capa p, los espesores de la capa p y la capa i, y el contenido de Ge en la película. Se ha logrado una eficiencia máxima del 23,5%, con una densidad de corriente de cortocircuito de 267 A/m2 y una tensión de circuito abierto de 1,13 V para la célula solar de doble unión.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:célula solar, células solares, sige, capa, unión, optimización, tensión del circuito, densidad de corriente, concentración de dopaje, concentración adecuada de ge
• Keywords:solar cell, solar cells, sige, layer, junction, optimization, circuit voltage, current density, doping concentration, appropriate ge concentration