Resumen

Los compuestos de calcopirita del absorbente de diseleniuro de cobre, indio y galio (CIGS) se fabricaron utilizando precursores de partículas binarias (Cu2Se, In2Se3 y Ga2Se3) con el método de sinterización térmica. En primer lugar, se preparó la tinta de partículas binarias mediante tecnología de fresado y, a continuación, se imprimió sobre un sustrato de vidrio sodocálcico, que se horneó a baja temperatura para eliminar los disolventes y formar un precursor seco. Tras la molienda, el tamaño medio de las partículas del polvo de CIGS aglomerado es inferior a 1,1 μm. Se han investigado ampliamente las propiedades cristalográficas, estequiométricas y eléctricas de las películas precursoras de CIGS con diversas cantidades de dopaje de Ga2Se3 mediante sinterización térmica en un entorno sin vacío y sin selenización. Los resultados analíticos revelan que la capa de absorción de CIGS preparada con una proporción de dopaje de Ga2Se3 de 3 tiene una estructura de calcopirita y una composición favorable. La relación molar Cu :In :Ga :Se de esta muestra fue de 1,03 :0.49 :0.54 :1,94, y las relaciones Ga/(In Ga) y Cu/(In Ga) fueron de 0,52 y 0,99, respectivamente. La resistividad y la concentración de portadores eran de 3,77 ohm-cm y 1,15 E 18 cm-3.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:diseleniuro de cobre, indio y galio, sustrato de vidrio sodocálcico, capa de absorción de cigs, relación de dopaje ga2se3, tamaño medio de partícula, películas precursoras de cigs, diversas cantidades de dopaje, ga2se3, resultados analíticos, polvo de cigs
• Keywords:copper indium gallium diselenide, soda lime glass substrate, cigs absorption layer, ga2se3 doping ratio, average particle size, precursor cigs films, various doping amounts, ga2se3, analytical results, cigs powder