La deposición catódica por arco en vacío (CVAD) permite obtener una película delgada de buena calidad con una temperatura de crecimiento baja y una tasa de deposición elevada, lo que se ajusta a los requisitos de deposición de películas en electrónica flexible. En este trabajo se describe la deposición a temperatura ambiente de películas delgadas de óxido de zinc (ZnO) depositadas por CVAD sobre sustrato de tereftalato de polietileno (PET). Se investigaron la microestructura y las medidas ópticas y eléctricas de las películas delgadas de ZnO depositadas con diversas relaciones de flujo de gas O2/Ar de 6 :1 a 10 :1. Las películas presentaban una estructura cristalina hexagonal wurtzita. Al aumentar las relaciones de flujo de gas O2/Ar, disminuyó la intensidad de la orientación del eje c (002). Los tamaños de los cristales oscilaban entre 16,03 nm y 23,42 nm. Los valores medios de transmitancia en el rango visible de todas las películas de ZnO depositadas fueron superiores al 83 y las bandas de separación calculadas a partir de los datos de absorción se situaron entre 3,1 y 3,2 eV. La resistividad tenía un valor mínimo en el 3,65 × 10-3 Ω-cm bajo la relación de flujo de gas O2/Ar de 8 :1. También se investigaron los mecanismos de luminiscencia de la película depositada para comprender los tipos de defectos de las películas de ZnO crecidas a temperatura ambiente.
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