Biblioteca122.739 documentos en línea

Artículo

Effect of Phosphate Buffered Saline Solutions on Top-Down Fabricated ZnO Nanowire Field Effect TransistorEfecto de las soluciones salinas tamponadas con fosfato en el transistor de efecto de campo de nanocables de ZnO fabricado desde arriba

Resumen

Los FET de nanohilos de ZnO se han fabricado aplicando un enfoque descendente, que utiliza fotolitografía óptica, deposición de capas atómicas (ALD) de película fina de ZnO y grabado anisotrópico con plasma. Los efectos de la solución salina tamponada con fosfato (PBS) sobre la superficie de los nanocables de ZnO se investigaron midiendo las características del FET con diferentes diluciones de PBS. La corriente de drenaje, ION, mostró un aumento de 39 veces en la concentración más alta de solución PBS en comparación con la medición en aire. A partir de las características de transferencia y de salida medidas en distintas diluciones de PBS, se observó que el dispositivo mantenía un comportamiento de tipo n. Estos resultados indican que el dispositivo puede utilizarse eficazmente para la detección de biomoléculas.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento