Resumen

Se investigó el efecto de los defectos de vacante de galio (VGa) y de vacante de nitrógeno (VN) sobre la estructura electrónica y las propiedades ópticas del GaN utilizando el método de aproximación de gradiente generalizado dentro de la teoría del funcional de la densidad. Los resultados muestran que la brecha de banda aumenta en el GaN con defectos de vacante. Los parámetros cristalinos disminuyen en el GaN con vacante de nitrógeno (GaN:VN) y aumentan en el GaN con vacante de galio (GaN:VGa). La vacante de Ga introduce niveles de defecto en la parte superior de la banda de valencia, y los niveles de defecto son aportados por estados de electrones N2p. Además, la banda de energía se desplaza a una energía más baja en GaN:VN y se desplaza a una energía más alta en GaN:VGa. La división de niveles se observa en los estados N2p del GaN:VN y en los estados Ga3d del GaN:VGa. Aparecen nuevos picos en la región de menor energía de la función dieléctrica imaginaria en GaN:VN y GaN:VGa. El pico principal se desplaza ligeramente hacia energías más altas y su intensidad disminuye.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles
• Palabras claves:gan, vga, niveles de defecto, vacante de galio, mayor energía, vacante de nitrógeno, método de aproximación de gradiente generalizado, estados de electrones n2p, aumentos de la brecha de banda, desplazamientos de la banda de energía
• Keywords:gan, vga, defect levels, gallium vacancy, higher energy, nitrogen vacancy, generalized gradient approximation method, n2p electron states, band gap increases, energy band shifts