Resumen

Se depositaron películas delgadas de Cu2ZnSnS4 (CZTS) mediante la técnica de cosputtering. Los parámetros de crecimiento, como la presión de trabajo, las potencias objetivo y la atmósfera de post recocido, se optimizaron para la deposición de las películas CZTS. Se realizó un estudio comparativo entre el post recocido utilizando vapor de azufre en un horno tubular de cuarzo y la cámara de sulfuración utilizando gas H2S para optimizar la fase kesterita Cu2ZnSnS4. El recocido de 10 min a 530°C en el horno en vapor de azufre eliminó todas las fases secundarias y formó la kesterita Cu2ZnSnS4. La difusión de azufre en la película durante el proceso de recocido aumentó la cristalinidad de la película. La fase kesterita Cu2ZnSnS4 se confirmó mediante difracción de rayos X, dispersión Raman y mediciones ópticas. La película presentaba picos de fonones correspondientes a la kesterita CZTS, un alto coeficiente de absorción (1,1 × 105 cm-1) y la brecha de banda óptica directa deseada (1,5 eV).

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:película, vapor de azufre, brecha de banda óptica directa, deposición de películas czts, fase cu2znsns4 kesterita, horno tubular de cuarzo, gas h2s, dispersión raman, coeficiente de absorción, proceso de recocido
• Keywords:film, sulfur vapor, optical direct band gap, czts films deposition, kesterite cu2znsns4 phase, quartz tube furnace, h2s gas, raman scattering, absorption coefficient, annealing process