Resumen

Se depositaron películas delgadas de Cu2ZnSnS4 (CZTS) utilizando la técnica de cosputtering. Se optimizaron parámetros de crecimiento tales como presión de trabajo y atmósfera luego del recocido. Se llevó a cabo un estudio comparativo entre la etapa posterior al recocido utilizando vapor de azufre en un horno de tubo de cuarzo y una cámara de sulfuración utilizando H2S para optimizar la fase kesterita. Un recocido en vapor de azufre por 10 min a 530ºC en el horno eliminó todas las fases secundarias. La difusión de azufre en la película durante el recocido mejoró su cristalinidad.

• Materias:Materiales Ingeniería de la producción
• Subjects:Materials Production engineering
• Palabras claves:ciencia de materiales, semiconductores cuaternarios, CZTS, kesterita, brecha energética, recocido, parámetros de crecimiento, sulfuración, cosputtering, películas delgadas
• Keywords:materials science, quaternary semiconductors, CZTS, kesterite, band gap, annealing, growth parameters, sulphuration, cosputtering, thin films