Resumen

Con el fin de obtener las condiciones óptimas de crecimiento para el espesor deseado y un uso más eficaz de la materia prima de silicio, se investigaron los efectos de los parámetros de procesamiento, tales como las temperaturas del sustrato precalentado, los intervalos de tiempo, la velocidad de movimiento de los sustratos y las tasas de soplado de gas Ar en el espesor de la cinta de silicio en el proceso de crecimiento horizontal. La mayoría de los parámetros fuertemente afectados en el control del espesor de la cinta con estructura de grano columnar dependían de la velocidad de solidificación. El espesor de la cinta de silicio disminuía al aumentar la temperatura del sustrato, disminuir el intervalo de tiempo y aumentar la velocidad de desplazamiento del sustrato. Sin embargo, el soplado de gas Ar sobre una capa líquida existente en la superficie de la cinta solidificada contribuyó a lograr una rugosidad superficial suave, pero no afectó de cerca al cambio del espesor de la cinta en el caso de una tasa de soplado de ≥0,65 Nm3/h, porque el espesor de la capa solidificada ya estaba determinado por la altura de salida del depósito.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:espesor, gas ar, espesor de la cinta, utilización efectiva de materia prima de silicio, estructura de grano columnar, proceso de crecimiento horizontal, condiciones óptimas de crecimiento, espesor de la cinta de silicio, rugosidad de la superficie lisa, velocidad
• Keywords:thickness, ar gas, ribbon thickness, effective silicon feedstock usage, columnar grain structure, horizontal growth process, optimum growth conditions, silicon ribbon thickness, smooth surface roughness, velocity