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El LED verde de GaN se cultivó en un sustrato de Si (111) mediante MOCVD. Para mejorar la calidad de las MQWs de InGaN/GaN, se indujeron capas de protección de GaN a la misma temperatura (ST) con diferentes grosores de 8, 15 y 30 después de la capa de pozos cuánticos (QWs) de InGaN. Los resultados muestran que una capa de tapa relativamente más gruesa beneficia la obtención de QWs de InGaN con un mayor porcentaje de In a temperatura de pozo fija y logra una mejor interfaz QW/QB. A medida que aumenta el grosor de la tapa, la distribución de indio se vuelve homogénea, como se verifica mediante microscopio de fluorescencia (FLM). La interfaz de las MQWs se vuelve abrupta según el análisis de XRD. La intensidad del espectro de fotoluminiscencia (PL) aumenta y el FWHM se vuelve más estrecho.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
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