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Effect of a Balanced Concentration of Hydrogen on Graphene CVD GrowthEfecto de una concentración equilibrada de hidrógeno en el crecimiento de grafeno por CVD

Resumen

Las extraordinarias propiedades del grafeno lo convierten en uno de los materiales más interesantes para futuras aplicaciones. La deposición química de vapor (CVD) es el método sintético que permite obtener grandes áreas de grafeno monocapa. Para conseguirlo, es importante encontrar las condiciones adecuadas para cada sistema experimental. En nuestro reactor de CVD trabajando a baja presión, los factores importantes parecen ser el pretratamiento del sustrato de cobre, considerando tanto su limpieza como su recocido antes del proceso de crecimiento. La relación precursor de carbono/flujo de hidrógeno y su modificación durante el crecimiento son significativos para obtener cristales de grafeno de gran área con pocos defectos. En este trabajo, nos hemos centrado en el estudio de los flujos de metano e hidrógeno para controlar la producción de grafeno monocapa (SLG) y su tiempo de crecimiento. En concreto, observamos que la concentración de hidrógeno aumenta durante un proceso de crecimiento habitual (manteniendo estable la relación metano/flujo de hidrógeno) dando lugar a dominios grabados. Para equilibrar este aumento, una modificación del flujo de hidrógeno da lugar al crecimiento de dominios SLG hexagonales lisos. Esto es consecuencia del efecto de grabado que el hidrógeno ejerce sobre el grafeno en crecimiento. Por tanto, es fundamental estudiar la presencia moderada de hidrógeno.

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