Resumen

Las películas delgadas de SnO2 crecieron sobre un sustrato de Si utilizando el método de deposición química de vapor a baja presión. Las observaciones realizadas mediante microscopía electrónica indican que las películas delgadas tienden a crecer con una dirección constante cuando se depositan a una temperatura de 420°C durante 5, 10, 20 o 30 minutos. Sin embargo, cuando el tiempo de deposición aumenta, las partículas que forman las películas delgadas están sujetas a un crecimiento secundario. Las observaciones realizadas con un microscopio electrónico de transmisión de alta resolución revelan la forma de red característica de las películas delgadas, con una forma de flor superpuesta o arrugada, e indican que el crecimiento de las películas delgadas tiene lugar en diferentes direcciones durante el crecimiento secundario. Las mediciones del efecto Hall muestran que la movilidad de los portadores en las películas delgadas aumenta linealmente con el tiempo de deposición, mientras que la densidad de portadores disminuye. El valor de Hall Rh aumentó linealmente hasta los 20 min de tiempo de deposición, mientras que para la película fina crecida durante 30 min disminuyó rápidamente, mostrando un comportamiento relativamente similar al de la densidad de portadores. Esto se debe a que, a medida que el tiempo de deposición se alarga, se produce el segundo crecimiento y la forma atípica, lo que conduce a un aumento del valor de Rh de las películas delgadas. Este fenómeno indica que el tiempo de deposición de las películas delgadas afecta a su densidad de portadores y a la forma atípica de flor superpuesta o arrugada.

• Materias:Aluminio Propiedades fisicoquímicas Hidráulica Agua Ingenierí­a hidráulica Soldadura Hidróxido de aluminio
• Subjects:Aluminum Chemicophysical properties Hydraulics Water Hydraulic engineering Welding Aluminum hydroxide
• Palabras claves:película delgada, tiempo de deposición, forma de flores arrugadas, densidad de portadores, crecimiento secundario, microscopio electrónico de transmisión, métodos de deposición de vapor, características de la forma de la red, valor hall rh, química de baja presión
• Keywords:thin film, deposition time, wrinkled flowers form, carrier density, secondary growth, transmission electron microscope, vapor deposition methods, lattice shape characteristics, hall rh value, low pressure chemical