Resumen

Se ha investigado el efecto de la variación del grosor en el comportamiento de la memoria de los dispositivos basados en polimetilmetacrilato (PMMA). Se han variado los espesores de la película de PMMA entre 5 y 300 nm, y se ha comprobado que el espesor de la película determina el tipo de comportamiento: memoria óhmica, memoria WORM (write-once-read-many-times) con dos estados ON, memoria WORM con una región de resistencia diferencial negativa (NDR), y memoria WORM sin región NDR. El hecho de que se obtuvieran resultados similares utilizando diferentes disolventes para diluir el PMMA (clorobenceno, cloroformo y dimetilsulfóxido), así como utilizando otro polímero aislante como el poliestireno (PS), lleva a la conclusión de que el fenómeno de la memoria depende de los electrodos de aluminio, del grosor de la película orgánica y de la corriente de conformidad utilizada durante la electroformación, mientras que el tipo de capa orgánica (PMMA o PS) tiene una influencia menor. De aquí se concluye que el cambio de conductividad de la película orgánica aislante se debe a la inyección de partículas de aluminio en la película durante el primer ciclo de tensión.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles
• Palabras claves:memoria helicoidal, espesores de película pmma, primer ciclo de tensión, resistencia diferencial negativa, espesor de película orgánica, pmma, memoria, tipo, región ndr, estados on
• Keywords:worm memory, pmma film thicknesses, first voltage cycle, negative differential resistance, organic film thickness, pmma, memory, type, ndr region, on states