Resumen

Se ha estudiado exhaustivamente el efecto del grabado con ácido fluorhídrico (HF) sobre el rendimiento del ánodo de Si/C en términos de estabilidad estructural, morfología, distribución de elementos y propiedades electroquímicas. Los resultados de la DRX muestran que los picos de difracción del silicio se debilitaron tras ser grabado con HF. Las imágenes de SEM revelan que la morfología del compuesto se volvió gruesa tras ser grabado con HF. Los mapas EDS ilustran la distribución de los elementos antes y después del ataque con HF. Los estudios electroquímicos muestran que el grabado con HF puede mejorar el rendimiento cíclico del compuesto Si/C, pero muestra un efecto nocivo sobre la capacidad. Los resultados indican que el grabado con HF podría ser un método prometedor para mejorar el rendimiento de los materiales basados en silicio.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:morfología, rendimiento, silicio, ánodo c, compuesto c, cartografía eds, estudios electroquímicos, grabado hf, imágenes sem, resultados xrd
• Keywords:morphology, performance, silicon, c anode, c composite, eds mapping, electrochemical studies, hf etching, sem images, xrd results